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SIR582DP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 80V, 116A, POWERPAK SO ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR582DP-T1-RE3
Code Commande23AK8714
Gamme de produitTrenchFET Gen V Series
Fiche technique
4 731 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,200 $ |
| 10+ | 2,340 $ |
| 25+ | 2,170 $ |
| 50+ | 1,990 $ |
| 100+ | 1,820 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
16,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR582DP-T1-RE3
Code Commande23AK8714
Gamme de produitTrenchFET Gen V Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id116A
Drain Source On State Resistance2800µohm
On Resistance Rds(on)0.0028ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation92.5W
Power Dissipation Pd92.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
2800µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
92.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
116A
On Resistance Rds(on)
0.0028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
92.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIR582DP-T1-RE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits