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SIR608DP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 208A, 45V, POWERPAK SO
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR608DP-T1-RE3
Code Commande99AC9573
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 31 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,210 $ |
| 10+ | 2,410 $ |
| 25+ | 2,280 $ |
| 50+ | 2,160 $ |
| 100+ | 2,030 $ |
| 250+ | 2,020 $ |
| 500+ | 1,740 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,21 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR608DP-T1-RE3
Code Commande99AC9573
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds45V
Continuous Drain Current Id208A
Drain Source On State Resistance0.001ohm
On Resistance Rds(on)0.001ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd104W
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
45V
Drain Source On State Resistance
0.001ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
208A
On Resistance Rds(on)
0.001ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
104W
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SIR608DP-T1-RE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits