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SIR624DP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 200V, 18.6A, POWERPAK SO ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR624DP-T1-GE3
Code Commande57AJ0403
Gamme de produitThunderFET
Fiche technique
17 713 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,160 $ |
| 10+ | 1,590 $ |
| 25+ | 1,480 $ |
| 50+ | 1,380 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,16 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR624DP-T1-GE3
Code Commande57AJ0403
Gamme de produitThunderFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id18.6A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
On Resistance Rds(on)0.05ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd52W
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeThunderFET
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
52W
No. of Pins
8Pins
Product Range
ThunderFET
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18.6A
On Resistance Rds(on)
0.05ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIR624DP-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits