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SIR626DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 0.0017 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR626DP-T1-RE3
Code Commande15AC8642
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,030 $ |
| 10+ | 1,030 $ |
| 25+ | 1,030 $ |
| 50+ | 1,030 $ |
| 100+ | 1,030 $ |
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Minimum: 1
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR626DP-T1-RE3
Code Commande15AC8642
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)0.0014ohm
Drain Source On State Resistance0.0017ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd104W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.4V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0014ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
104W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.0017ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIR626DP-T1-RE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit