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SIR632DP-T1-RE3
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 29 A, 0.0345 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR632DP-T1-RE3
Code Commande15AC8643
Gamme de produitThunderFET
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,990 $ |
| 10+ | 1,640 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR632DP-T1-RE3
Code Commande15AC8643
Gamme de produitThunderFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id29A
Drain Source On State Resistance0.0345ohm
On Resistance Rds(on)0.0285ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd69.5W
Power Dissipation69.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeThunderFET
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
N-channel 150V (D-S) MOSFET suitable for use in fixed telecom, DC/DC converter, primary and secondary side switch, battery management and synchronous rectification.
- ThunderFET® technology optimizes balance of RDS(on), Qi, Qsw and Qoss
- 100% Rg and UIS tested
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.0345ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
69.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
ThunderFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
29A
On Resistance Rds(on)
0.0285ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
69.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIR632DP-T1-RE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit