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SIR870DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 60 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR870DP-T1-GE3
Code Commande
Mise en bobine94T2659
Bandes découpées94T2659
Votre numéro de pièce
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 39 semaine(s)
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 2,160 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR870DP-T1-GE3
Code Commande
Mise en bobine94T2659
Bandes découpées94T2659
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id60A
On Resistance Rds(on)0.005ohm
Drain Source On State Resistance0.006ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd104W
Transistor Case StylePowerPAK SO
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.005ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
104W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.006ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit