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SIR882ADP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 60 A, 0.0087 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 35 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 1,780 $ |
| 4000+ | 1,610 $ |
| 6000+ | 1,550 $ |
| 10000+ | 1,490 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
5 340,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR882ADP-T1-GE3
Code Commande94T2850
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance0.0087ohm
On Resistance Rds(on)0.0072ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd83W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Transistor Case StylePowerPAK SO
Power Dissipation83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0087ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
PowerPAK SO
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
On Resistance Rds(on)
0.0072ohm
Power Dissipation Pd
83W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit