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SIR882ADP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 60 A, 0.0087 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR882ADP-T1-GE3
Code Commande19X1954
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,600 $ |
| 10+ | 2,990 $ |
| 25+ | 2,700 $ |
| 50+ | 2,390 $ |
| 100+ | 2,090 $ |
| 250+ | 1,940 $ |
| 500+ | 1,780 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIR882ADP-T1-GE3
Code Commande19X1954
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id60A
On Resistance Rds(on)0.0072ohm
Drain Source On State Resistance0.0087ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd83W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation83W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0072ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
83W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.0087ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
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