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SIRA01DP-T1-GE3
MOSFET, P-CH, -30V, -60A, POWERPAK SO
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRA01DP-T1-GE3
Code Commande50AC9654
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRA01DP-T1-GE3
Code Commande50AC9654
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source On State Resistance4900µohm
On Resistance Rds(on)0.0041ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd62.5W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation62.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
4900µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
62.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
60A
On Resistance Rds(on)
0.0041ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIRA01DP-T1-GE3
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits