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SIRA50DP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 40V, 100A, POWERPAK SO
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRA50DP-T1-RE3
Code Commande50AC9655
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Votre numéro de pièce
Fiche technique
13 020 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,470 $ |
| 10+ | 2,590 $ |
| 25+ | 2,390 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 1,390 $ |
| 10000+ | 1,360 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRA50DP-T1-RE3
Code Commande50AC9655
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance1000µohm
On Resistance Rds(on)860µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation Pd100W
Power Dissipation100W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
1000µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
100W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
860µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
Power Dissipation
100W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIRA50DP-T1-RE3
6 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits