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SIRA60DP-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 100 A, 940 µohm, PowerPAK SO, Surface Mount
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17 En Stock
17 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,880 $ | 3,88 $ |
| Total Prix | 3,88 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,880 $ |
| 50+ | 2,630 $ |
| 100+ | 1,900 $ |
| 250+ | 1,750 $ |
| 500+ | 1,590 $ |
| 1000+ | 1,490 $ |
| 2500+ | 1,460 $ |
| 5000+ | 1,420 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 1,290 $ |
| 18000+ | 1,260 $ |
| 30000+ | 1,240 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRA60DP-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant56 semaines
Code Commande
Bobine complète20AC3870
Mise en bobine99Y9654RL
Bandes découpées99Y9654
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)780µohm
Drain Source On State Resistance940µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation Pd57W
Power Dissipation57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
N-channel 30V (D-S) MOSFET suitable for use in synchronous rectification, high power density DC/DC and VRMs and embedded DC/DC.
- TrenchFET® Gen IV power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
780µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
57W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
940µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIRA60DP-T1-GE3
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit