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SIRA80DP-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 30V, 100A, 150DEG C, 104W
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRA80DP-T1-RE3
Code Commande81AC2784
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Votre numéro de pièce
Fiche technique
5 516 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,700 $ |
| 10+ | 2,530 $ |
| 25+ | 2,310 $ |
| 50+ | 2,100 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 1,380 $ |
| 10000+ | 1,340 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRA80DP-T1-RE3
Code Commande81AC2784
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id100A
On Resistance Rds(on)470µohm
Drain Source On State Resistance620µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd104W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation104W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
470µohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation Pd
104W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
620µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
104W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIRA80DP-T1-RE3
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits