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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRS4600EPW-T1-RE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant13 semaines
Code Commande
Mise en bobine51AM4567RL
Bandes découpées51AM4567
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Votre numéro de pièce
50 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 7,900 $ | 7,90 $ |
| Total Prix | 7,90 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,900 $ |
| 50+ | 4,600 $ |
| 100+ | 4,280 $ |
| 250+ | 4,070 $ |
| 500+ | 3,850 $ |
| 1000+ | 3,770 $ |
| 2500+ | 3,700 $ |
| 5000+ | 3,610 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRS4600EPW-T1-RE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant13 semaines
Code Commande
Mise en bobine51AM4567RL
Bandes découpées51AM4567
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id373A
Drain Source On State Resistance0.00115ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-8SW
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation333W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
373A
Transistor Case Style
PowerPAK SO-8SW
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
333W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.00115ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
