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SIRS578DPW-T1-RE3
MOSFET, N-CH, 150V, 92A, POWERPAKSOSW
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRS578DPW-T1-RE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant56 semaines
Code Commande
Mise en bobine18AM6886RL
Bandes découpées18AM6886
Gamme de produitTrenchFET Gen V Series
Votre numéro de pièce
6 016 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 4,760 $ | 4,76 $ |
| Total Prix | 4,76 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,760 $ |
| 50+ | 4,200 $ |
| 100+ | 3,850 $ |
| 250+ | 3,480 $ |
| 500+ | 3,020 $ |
| 1000+ | 2,400 $ |
| 2500+ | 2,270 $ |
| 5000+ | 2,140 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRS578DPW-T1-RE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant56 semaines
Code Commande
Mise en bobine18AM6886RL
Bandes découpées18AM6886
Gamme de produitTrenchFET Gen V Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id93A
Drain Source On State Resistance8600µohm
Transistor Case StylePowerPAK SO-SW
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation171W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
93A
Transistor Case Style
PowerPAK SO-SW
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
171W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
8600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit