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SIRS700DP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 127A, POWERPAK SO-8S ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRS700DP-T1-GE3
Code Commande62AJ4913
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
5 419 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,180 $ |
| 10+ | 4,880 $ |
| 25+ | 4,840 $ |
| 50+ | 4,470 $ |
| 100+ | 4,090 $ |
| 250+ | 3,900 $ |
| 500+ | 3,700 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
6,18 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIRS700DP-T1-GE3
Code Commande62AJ4913
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id127A
On Resistance Rds(on)0.0028ohm
Drain Source On State Resistance0.0028ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation132W
Power Dissipation Pd132W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0028ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
132W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
127A
Drain Source On State Resistance
0.0028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation Pd
132W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIRS700DP-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit