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SIS322DNT-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 38.3 A, 0.0075 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 23 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 0,437 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
1 311,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS322DNT-T1-GE3
Code Commande68W7091
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id38.3A
On Resistance Rds(on)0.006ohm
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd19.8W
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Power Dissipation19.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.006ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
19.8W
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
38.3A
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
Power Dissipation
19.8W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit