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SIS402DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 35 A, 0.006 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS402DN-T1-GE3
Code Commande
Bobine complète16P3666
Mise en bobine05X0472
Bandes découpées05X0472
Votre numéro de pièce
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 30 semaine(s)
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 2,090 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 1,170 $ |
| 6000+ | 1,170 $ |
| 12000+ | 1,140 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS402DN-T1-GE3
Code Commande
Bobine complète16P3666
Mise en bobine05X0472
Bandes découpées05X0472
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id35A
On Resistance Rds(on)0.0048ohm
Drain Source On State Resistance0.006ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd52W
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0048ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
52W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Drain Source On State Resistance
0.006ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit