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SIS472BDN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 30V, 38.3A, 150DEG C
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS472BDN-T1-GE3
Code Commande81AC2798
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
3 695 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,310 $ |
| 25+ | 1,080 $ |
| 100+ | 0,712 $ |
| 500+ | 0,597 $ |
| 1000+ | 0,480 $ |
| 2500+ | 0,459 $ |
| 10000+ | 0,442 $ |
| 25000+ | 0,437 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,31 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS472BDN-T1-GE3
Code Commande81AC2798
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id38.3A
On Resistance Rds(on)0.006ohm
Drain Source On State Resistance0.0075ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd19.8W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation19.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.006ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation Pd
19.8W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
38.3A
Drain Source On State Resistance
0.0075ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
19.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIS472BDN-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits