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SIS488DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 40V, 40A, POWERPAK1212
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS488DN-T1-GE3
Code Commande57AJ0415
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,510 $ |
| 10+ | 1,140 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS488DN-T1-GE3
Code Commande57AJ0415
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance5500µohm
On Resistance Rds(on)0.0045ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation Pd52W
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
5500µohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
52W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
On Resistance Rds(on)
0.0045ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIS488DN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit