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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS888DN-T1-GE3
Code Commande26AK5813
Gamme de produitThunderFET Series
Fiche technique
14 184 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 2,580 $ |
25+ | 2,260 $ |
100+ | 1,810 $ |
500+ | 1,600 $ |
1000+ | 1,230 $ |
2500+ | 1,170 $ |
5000+ | 1,130 $ |
10000+ | 1,110 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,58 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS888DN-T1-GE3
Code Commande26AK5813
Gamme de produitThunderFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id20.2A
Drain Source On State Resistance0.058ohm
On Resistance Rds(on)0.048ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation52W
Power Dissipation Pd52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeThunderFET Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.058ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
No. of Pins
8Pins
Product Range
ThunderFET Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20.2A
On Resistance Rds(on)
0.048ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Power Dissipation Pd
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIS888DN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits