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SIS890DN-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 30 A, 0.0235 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS890DN-T1-GE3
Code Commande
Bobine complète86W6808
Mise en bobine70AC6484
Bandes découpées70AC6484
Votre numéro de pièce
3 000 En Stock
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Commande avant 21h avec expédition standard
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,980 $ |
| 25+ | 1,640 $ |
| 50+ | 1,520 $ |
| 100+ | 1,390 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 0,911 $ |
| 4000+ | 0,818 $ |
| 6000+ | 0,789 $ |
| 10000+ | 0,772 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIS890DN-T1-GE3
Code Commande
Bobine complète86W6808
Mise en bobine70AC6484
Bandes découpées70AC6484
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.0235ohm
On Resistance Rds(on)0.0195ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd52W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Aperçu du produit
The SIS890DN-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for telecom brick, primary side switch and synchronous rectification applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Capable of operating with 5V gate drive
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management, Communications & Networking
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0235ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
SVHC
Lead
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
On Resistance Rds(on)
0.0195ohm
Power Dissipation Pd
52W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIS890DN-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits