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24 769 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,640 $ |
| 10+ | 1,300 $ |
| 25+ | 1,210 $ |
| 50+ | 1,120 $ |
| 100+ | 1,030 $ |
| 250+ | 0,955 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,64 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISA24DN-T1-GE3
Code Commande10AC9116
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds25V
Continuous Drain Current Id60A
On Resistance Rds(on)0.00115ohm
Drain Source On State Resistance0.0014ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.1V
Power Dissipation52W
Power Dissipation Pd52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
25V
On Resistance Rds(on)
0.00115ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.0014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.1V
Power Dissipation Pd
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SISA24DN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits