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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISD4604LDN-T1-UE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant56 semaines
Code Commande
Mise en bobine22AM2333RL
Bandes découpées22AM2333
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Votre numéro de pièce
5 900 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,610 $ | 2,61 $ |
| Total Prix | 2,61 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,610 $ |
| 50+ | 2,260 $ |
| 100+ | 2,040 $ |
| 250+ | 1,860 $ |
| 500+ | 1,580 $ |
| 1000+ | 1,390 $ |
| 2500+ | 1,220 $ |
| 5000+ | 1,170 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISD4604LDN-T1-UE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant56 semaines
Code Commande
Mise en bobine22AM2333RL
Bandes découpées22AM2333
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id91A
Drain Source On State Resistance3400µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-F
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
91A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-F
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
3400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
