Imprimer la page
27 662 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 1,460 $ |
10+ | 1,120 $ |
25+ | 1,020 $ |
50+ | 0,923 $ |
100+ | 0,827 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,46 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISH101DN-T1-GE3
Code Commande99AC2828
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id35A
On Resistance Rds(on)0.0058ohm
Drain Source On State Resistance0.0072ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd52W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation52W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0058ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation Pd
52W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Drain Source On State Resistance
0.0072ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
52W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SISH101DN-T1-GE3
7 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits