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SISH103DN-T1-GE3
MOSFET, P-CH, -30V, 54A, POWERPAK 1212 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISH103DN-T1-GE3
Code Commande68AK9907
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
5 009 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,870 $ |
| 10+ | 1,320 $ |
| 25+ | 1,190 $ |
| 50+ | 1,060 $ |
| 100+ | 0,930 $ |
| 250+ | 0,848 $ |
| 500+ | 0,766 $ |
| 1000+ | 0,709 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,87 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISH103DN-T1-GE3
Code Commande68AK9907
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id54A
Drain Source On State Resistance8900µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation41.6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
54A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
41.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
8900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits