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SISH536DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 30V, 67.4A, POWERPAK 1212 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISH536DN-T1-GE3
Code Commande31AJ7245
Gamme de produitTrenchFET Gen V
Fiche technique
6 000 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,240 $ |
| 10+ | 0,837 $ |
| 25+ | 0,758 $ |
| 50+ | 0,679 $ |
| 100+ | 0,599 $ |
| 250+ | 0,541 $ |
| 500+ | 0,481 $ |
| 1000+ | 0,444 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,24 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISH536DN-T1-GE3
Code Commande31AJ7245
Gamme de produitTrenchFET Gen V
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id67.4A
Drain Source On State Resistance3250µohm
On Resistance Rds(on)0.0027ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation26.5W
Power Dissipation Pd26.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen V
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3250µohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
26.5W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen V
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
67.4A
On Resistance Rds(on)
0.0027ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
Power Dissipation Pd
26.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits