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SISS22DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 60V, 90.6A, 65.7W
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS22DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant55 semaines
Code Commande
Bobine complète81AC3501
Mise en bobine99AC0542RL
Bandes découpées99AC0542
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 53 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,790 $ | 3,79 $ |
| Total Prix | 3,79 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,790 $ |
| 50+ | 2,580 $ |
| 100+ | 1,890 $ |
| 250+ | 1,750 $ |
| 500+ | 1,590 $ |
| 1000+ | 1,490 $ |
| 2500+ | 1,450 $ |
| 5000+ | 1,420 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 1,300 $ |
| 10000+ | 1,260 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS22DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant55 semaines
Code Commande
Bobine complète81AC3501
Mise en bobine99AC0542RL
Bandes découpées99AC0542
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id90.6A
On Resistance Rds(on)0.00325ohm
Drain Source On State Resistance4000µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd65.7W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.00325ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation Pd
65.7W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90.6A
Drain Source On State Resistance
4000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Produits de remplacement pour SISS22DN-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit