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SISS30DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 80V, 54.7A, 150DEG C, 57W
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS30DN-T1-GE3
Code Commande99AC9590
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Votre numéro de pièce
Fiche technique
4 488 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,480 $ |
| 10+ | 1,820 $ |
| 25+ | 1,680 $ |
| 50+ | 1,520 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 0,898 $ |
| 10000+ | 0,883 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS30DN-T1-GE3
Code Commande99AC9590
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id54.7A
On Resistance Rds(on)0.00685ohm
Drain Source On State Resistance8250µohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd57W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.00685ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation Pd
57W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
54.7A
Drain Source On State Resistance
8250µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SISS30DN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits