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SISS32ADN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 80V, 63A, POWERPAK 1212-8S ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS32ADN-T1-GE3
Code Commande81AH9259
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 31 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,200 $ |
| 10+ | 1,850 $ |
| 25+ | 1,800 $ |
| 50+ | 1,740 $ |
| 100+ | 1,690 $ |
| 250+ | 1,660 $ |
| 500+ | 1,640 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,20 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS32ADN-T1-GE3
Code Commande81AH9259
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id63A
Drain Source On State Resistance0.0073ohm
On Resistance Rds(on)0.0061ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.6V
Power Dissipation65.7W
Power Dissipation Pd65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0073ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65.7W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
63A
On Resistance Rds(on)
0.0061ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.6V
Power Dissipation Pd
65.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits