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SISS32DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 80V, 63A, 150DEG C, 65.7W
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS32DN-T1-GE3
Code Commande99AC9591
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 31 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,510 $ |
| 10+ | 1,910 $ |
| 25+ | 1,780 $ |
| 50+ | 1,660 $ |
| 100+ | 1,530 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,51 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS32DN-T1-GE3
Code Commande99AC9591
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id63A
Drain Source On State Resistance0.0072ohm
On Resistance Rds(on)0.006ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd65.7W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0072ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation Pd
65.7W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
63A
On Resistance Rds(on)
0.006ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SISS32DN-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits