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SISS5623DN-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 60V/36.3A/POWERPAK 1212-8S ROHS COMPLIANT: YES
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2 829 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,780 $ |
| 10+ | 2,710 $ |
| 25+ | 2,490 $ |
| 50+ | 2,280 $ |
| 100+ | 2,060 $ |
| 250+ | 1,910 $ |
| 500+ | 1,740 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,78 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS5623DN-T1-GE3
Code Commande74AK7742
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id36.3A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.6V
Power Dissipation56.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
36.3A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
56.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.6V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits