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SISS5808DN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 80V/66.6A/POWERPAK 1212-8S ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS5808DN-T1-GE3
Code Commande68AK9911
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
6 000 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,870 $ |
| 10+ | 2,300 $ |
| 25+ | 2,160 $ |
| 50+ | 2,020 $ |
| 100+ | 1,880 $ |
| 250+ | 1,770 $ |
| 500+ | 1,670 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,87 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS5808DN-T1-GE3
Code Commande68AK9911
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id66.6A
Drain Source On State Resistance0.00745ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation65.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
66.6A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8S
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.00745ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits