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SISS5812DN-T1-GE3
N-CH MOSFET, 80V, 42.8A/POWERPAK 1212-8S
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS5812DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant38 semaines
Code Commande
Mise en bobine88AK0142RL
Bandes découpées88AK0142
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 38 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 5 | 2,560 $ | 12,80 $ |
| Total Prix | 12,80 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 2,560 $ |
| 15+ | 1,570 $ |
| 25+ | 1,540 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS5812DN-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant38 semaines
Code Commande
Mise en bobine88AK0142RL
Bandes découpées88AK0142
Gamme de produitTrenchFET Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id42.8A
Drain Source On State Resistance0.0135ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation44.6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
42.8A
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
44.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0135ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
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Certificat de conformité du produit