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4 498 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 2,650 $ |
10+ | 2,130 $ |
25+ | 1,990 $ |
50+ | 1,840 $ |
100+ | 1,700 $ |
250+ | 1,570 $ |
500+ | 1,450 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,65 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS73DN-T1-GE3
Code Commande10AH0981
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id16.2A
On Resistance Rds(on)0.1ohm
Drain Source On State Resistance0.125ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd65.8W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation65.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
On Resistance Rds(on)
0.1ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
16.2A
Drain Source On State Resistance
0.125ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
65.8W
Power Dissipation
65.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits