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SISS76LDN-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 70V, 67.4A, POWERPAK 1212 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS76LDN-T1-GE3
Code Commande93AH0393
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
11 190 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,380 $ |
| 25+ | 2,100 $ |
| 100+ | 1,710 $ |
| 500+ | 1,530 $ |
| 1000+ | 1,210 $ |
| 2500+ | 1,160 $ |
| 5000+ | 1,120 $ |
| 10000+ | 1,110 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,38 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSISS76LDN-T1-GE3
Code Commande93AH0393
Gamme de produitTrenchFET Gen IV
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds70V
Continuous Drain Current Id67.4A
Drain Source On State Resistance0.00625ohm
On Resistance Rds(on)0.0052ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212-8S
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation Pd57W
Power Dissipation57W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV
Qualification-
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
70V
Drain Source On State Resistance
0.00625ohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212-8S
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
57W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
67.4A
On Resistance Rds(on)
0.0052ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
Power Dissipation
57W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits