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SIZ342DDT-T1-GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 33.6A, POWERPAIR ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIZ342DDT-T1-GE3
Code Commande13AM5305
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Votre numéro de pièce
6 000 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,362 $ |
| 10+ | 0,320 $ |
| 25+ | 0,285 $ |
| 50+ | 0,178 $ |
| 100+ | 0,148 $ |
| 250+ | 0,127 $ |
| 500+ | 0,102 $ |
| 1000+ | 0,082 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,36 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIZ342DDT-T1-GE3
Code Commande13AM5305
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel33.6A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel9200µohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel16.7W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
33.6A
Drain Source On State Resistance N Channel
9200µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
16.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits