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SIZ998BDT-T1-GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 30V, POWERPAIR 6 X 5 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
2 904 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,842 $ |
| 10+ | 0,797 $ |
| 25+ | 0,746 $ |
| 50+ | 0,697 $ |
| 100+ | 0,652 $ |
| 250+ | 0,633 $ |
| 500+ | 0,617 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,84 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIZ998BDT-T1-GE3
Code Commande74AH4897
Fiche technique
Channel TypeN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id94.6A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel94.6A
Continuous Drain Current Id P Channel94.6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0018ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0018ohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel32.9W
Power Dissipation P Channel32.9W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
94.6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0018ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
32.9W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id
94.6A
Continuous Drain Current Id N Channel
94.6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0018ohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
32.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits