Imprimer la page
SIZF914DT-T1-GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 25V, 60A, POWERPAIR
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIZF914DT-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant56 semaines
Code Commande
Mise en bobine81AC2800RL
Bandes découpées81AC2800
Gamme de produitTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 56 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,840 $ | 3,84 $ |
| Total Prix | 3,84 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,840 $ |
| 50+ | 2,400 $ |
| 100+ | 1,860 $ |
| 250+ | 1,750 $ |
| 500+ | 1,630 $ |
| 1000+ | 1,470 $ |
| 2500+ | 1,450 $ |
| 5000+ | 1,420 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIZF914DT-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant56 semaines
Code Commande
Mise en bobine81AC2800RL
Bandes découpées81AC2800
Gamme de produitTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds25V
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel60A
Drain Source On State Resistance N Channel600µohm
Drain Source On State Resistance P Channel600µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel60W
Power Dissipation P Channel60W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel + Schottky
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
Continuous Drain Current Id P Channel
60A
Drain Source On State Resistance P Channel
600µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
60W
Product Range
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Drain Source Voltage Vds
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
600µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
60W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIZF914DT-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit