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SIZF914DT-T1-GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 25V, 60A, POWERPAIR
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIZF914DT-T1-GE3
Code Commande
Bobine complète59AC7466
Mise en bobine81AC2800
Bandes découpées81AC2800
Gamme de produitTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 54 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,130 $ | 3,13 $ |
| Total Prix | 3,13 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,130 $ |
| 10+ | 1,910 $ |
| 25+ | 1,760 $ |
| 50+ | 1,600 $ |
| 100+ | 1,450 $ |
| 250+ | 1,340 $ |
| 500+ | 1,170 $ |
| 1000+ | 0,969 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 6000+ | 0,991 $ |
| 10000+ | 0,953 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSIZF914DT-T1-GE3
Code Commande
Bobine complète59AC7466
Mise en bobine81AC2800
Bandes découpées81AC2800
Gamme de produitTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel + Schottky
Drain Source Voltage Vds N Channel25V
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds25V
Drain Source Voltage Vds P Channel25V
Continuous Drain Current Id N Channel60A
Continuous Drain Current Id P Channel60A
Drain Source On State Resistance N Channel600µohm
Drain Source On State Resistance P Channel600µohm
Transistor Case StylePowerPAIR
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel60W
Power Dissipation P Channel60W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen IV SkyFET Series
Qualification-
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel + Schottky
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source Voltage Vds P Channel
25V
Continuous Drain Current Id P Channel
60A
Drain Source On State Resistance P Channel
600µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
60W
Product Range
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
25V
Drain Source Voltage Vds
25V
Continuous Drain Current Id N Channel
60A
Drain Source On State Resistance N Channel
600µohm
Transistor Case Style
PowerPAIR
Power Dissipation N Channel
60W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SIZF914DT-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
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