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SQ1922EEH-T1_GE3
MOSFET, N-CH, 20V, 0.84A, 175DEG C, 1.5W
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ1922EEH-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6387
Mise en bobine75AH9241RL
Bandes découpées75AH9241
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
1 645 En Stock
1 645 disponibles sur {packagingType}
Bobine complète sont disponibles en commandes différées.
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bobine complète | 5 | 0,483 $ | 0,00 $ |
| Total Prix | 2,42 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,210 $ |
| 10+ | 0,550 $ |
| 15+ | 0,534 $ |
| 25+ | 0,518 $ |
| 50+ | 0,502 $ |
| 125+ | 0,485 $ |
| 250+ | 0,475 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,483 $ |
| 5000+ | 0,474 $ |
| 10000+ | 0,447 $ |
| 20000+ | 0,423 $ |
| 30000+ | 0,401 $ |
| 50000+ | 0,388 $ |
Si vous souhaitez des quantités plus petites, vous pouvez sélectionner un autre type d’emballage
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ1922EEH-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant21 semaines
Code Commande
Bobine complète86AK6387
Mise en bobine75AH9241RL
Bandes découpées75AH9241
Gamme de produitTrenchFET Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel840mA
Continuous Drain Current Id P Channel840mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.2ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.2ohm
Transistor Case StyleSC-70
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.5W
Power Dissipation P Channel1.5W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
840mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.2ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.5W
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
840mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.2ohm
Transistor Case Style
SC-70
Power Dissipation N Channel
1.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Produits de remplacement pour SQ1922EEH-T1_GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit