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SQ2337ES-T1_GE3
Power MOSFET, P Channel, 80 V, 2.2 A, 0.29 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ2337ES-T1_GE3
Code Commande75AH9244
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Options de conditionnement
77 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,430 $ |
| 10+ | 0,430 $ |
| 25+ | 0,430 $ |
| 50+ | 0,430 $ |
| 100+ | 0,430 $ |
| 250+ | 0,394 $ |
| 500+ | 0,394 $ |
| 1000+ | 0,364 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,43 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ2337ES-T1_GE3
Code Commande75AH9244
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id2.2A
Drain Source On State Resistance0.29ohm
On Resistance Rds(on)0.241ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation3W
Power Dissipation Pd3W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.29ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3W
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
On Resistance Rds(on)
0.241ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
3W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit