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SQ4050EY-T1_BE3
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 19 A, 0.008 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ4050EY-T1_BE3
Code Commande78AH6701
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 21 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 0,683 $ |
| 4000+ | 0,613 $ |
| 6000+ | 0,591 $ |
| 10000+ | 0,579 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
1 707,50 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ4050EY-T1_BE3
Code Commande78AH6701
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id19A
On Resistance Rds(on)0.0063ohm
Drain Source On State Resistance0.008ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation6W
Power Dissipation Pd6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead
Aperçu du produit
Remarques
BE3 suffix indicates non China production - not subject to US import tariffs
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0063ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
6W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
19A
Drain Source On State Resistance
0.008ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
6W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit