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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQ7414CENW-T1_GE3
Code Commande61AC8304
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id18A
Drain Source On State Resistance23mohm
On Resistance Rds(on)0.016ohm
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd62W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation62W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
Produits de remplacement pour SQ7414CENW-T1_GE3
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
23mohm
Transistor Case Style
PowerPAK 1212
Power Dissipation Pd
62W
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
On Resistance Rds(on)
0.016ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
62W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit