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SQA444CEJW-T1_GE3
MOSFET, N-CH, 60V, 9A, POWERPAK SC-70W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQA444CEJW-T1_GE3
Code Commande23AK8727
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
3 830 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,809 $ |
| 10+ | 0,570 $ |
| 25+ | 0,531 $ |
| 50+ | 0,492 $ |
| 100+ | 0,454 $ |
| 250+ | 0,412 $ |
| 500+ | 0,369 $ |
| 1000+ | 0,342 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
4,04 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQA444CEJW-T1_GE3
Code Commande23AK8727
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id9A
Drain Source On State Resistance0.039ohm
On Resistance Rds(on)0.0318ohm
Transistor Case StylePowerPAK SC-70W
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation13.6W
Power Dissipation Pd13.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SC-70W
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
13.6W
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9A
On Resistance Rds(on)
0.0318ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
13.6W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (07-Nov-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits