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SQD50P03-07_GE3
MOSFET, P-CH, 30V, 50A, TO-252AA ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQD50P03-07_GE3
Code Commande26AK5824
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
Fiche technique
1 509 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,730 $ |
| 10+ | 3,980 $ |
| 25+ | 3,720 $ |
| 50+ | 3,450 $ |
| 100+ | 3,200 $ |
| 250+ | 2,990 $ |
| 500+ | 2,790 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQD50P03-07_GE3
Code Commande26AK5824
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id50A
On Resistance Rds(on)0.005ohm
Drain Source On State Resistance7000µohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation136W
Power Dissipation Pd136W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.005ohm
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
136W
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
7000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
136W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits