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SQD50P08-25L_GE3
Power MOSFET, P Channel, 80 V, 50 A, 0.025 ohm, TO-252AA, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQD50P08-25L_GE3
Code Commande76Y1523
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
2 000 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,010 $ |
| 10+ | 2,440 $ |
| 100+ | 1,810 $ |
| 500+ | 1,560 $ |
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Minimum: 1
Multiple: 1
3,01 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQD50P08-25L_GE3
Code Commande76Y1523
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation136W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
136W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SQD50P08-25L_GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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