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SQJ182EP-T1_GE3
MOSFET, N-CH, 80V, 210A, POWERPAK SO-8L ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJ182EP-T1_GE3
Code Commande26AK3563
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Fiche technique
1 860 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,400 $ |
| 10+ | 2,370 $ |
| 25+ | 2,140 $ |
| 50+ | 1,940 $ |
| 100+ | 1,710 $ |
| 250+ | 1,570 $ |
| 500+ | 1,440 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,40 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJ182EP-T1_GE3
Code Commande26AK3563
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id210A
On Resistance Rds(on)0.0041ohm
Drain Source On State Resistance0.005ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation395W
Power Dissipation Pd395W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCLead (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
On Resistance Rds(on)
0.0041ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
395W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
210A
Drain Source On State Resistance
0.005ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Power Dissipation Pd
395W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits