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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJ457EP-T1_GE3
Code Commande
Mise en bobine75AH9218
Bandes découpées75AH9218
Gamme de produitTrenchFET Series
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Fiche technique
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Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,210 $ |
| 10+ | 1,560 $ |
| 25+ | 1,440 $ |
| 50+ | 1,310 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJ457EP-T1_GE3
Code Commande
Mise en bobine75AH9218
Bandes découpées75AH9218
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id36A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
On Resistance Rds(on)0.021ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation68W
Power Dissipation Pd68W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
68W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
36A
On Resistance Rds(on)
0.021ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation Pd
68W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SQJ457EP-T1_GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit
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