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SQJ742EP-T1_GE3
MOSFET, DUAL N-CH, 40V, 99A, POWERPAK
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJ742EP-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Mise en bobine51AM4738RL
Bandes découpées51AM4738
Votre numéro de pièce
50 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,620 $ | 2,62 $ |
| Total Prix | 2,62 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,620 $ |
| 10+ | 2,490 $ |
| 25+ | 2,280 $ |
| 50+ | 2,090 $ |
| 100+ | 1,920 $ |
| 250+ | 1,660 $ |
| 500+ | 1,460 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJ742EP-T1_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant14 semaines
Code Commande
Mise en bobine51AM4738RL
Bandes découpées51AM4738
Channel TypeDual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id N Channel99A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.009ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins4Pins
Power Dissipation N Channel88W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
4Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
99A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.009ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
88W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit