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14 019 En Stock
Quantité | Prix |
---|---|
1+ | 2,660 $ |
10+ | 2,100 $ |
25+ | 1,920 $ |
50+ | 1,740 $ |
100+ | 1,560 $ |
500+ | 1,310 $ |
1000+ | 1,250 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
2,66 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJ940EP-T1_GE3
Code Commande19X1984
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Continuous Drain Current Id15A
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id N Channel15A
Continuous Drain Current Id P Channel15A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0133ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0133ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel48W
Power Dissipation P Channel48W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Aperçu du produit
The SQJ940EP-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
15A
Drain Source Voltage Vds
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
15A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0133ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
48W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
15A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0133ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
48W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits