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SQJB80EP-T1_GE3
Dual MOSFET, N Channel, 80 V, 80 V, 30 A, 30 A, 0.019 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJB80EP-T1_GE3
Code Commande
Bobine complète20AC3999
Mise en bobine10AC9133
Bandes découpées10AC9133
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
3 117 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 2,660 $ | 2,66 $ |
| Total Prix | 2,66 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,660 $ |
| 10+ | 1,700 $ |
| 25+ | 1,510 $ |
| 50+ | 1,320 $ |
| 100+ | 1,140 $ |
| 250+ | 1,020 $ |
| 500+ | 0,898 $ |
| 1000+ | 0,827 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 1,140 $ |
| 4000+ | 1,050 $ |
| 6000+ | 1,020 $ |
| 10000+ | 1,010 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJB80EP-T1_GE3
Code Commande
Bobine complète20AC3999
Mise en bobine10AC9133
Bandes découpées10AC9133
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel80V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds P Channel80V
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id N Channel30A
Continuous Drain Current Id P Channel30A
Drain Source On State Resistance N Channel0.019ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0155ohm
Transistor Case StylePowerPAK SO
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel48W
Power Dissipation P Channel48W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source Voltage Vds
80V
Continuous Drain Current Id P Channel
30A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0155ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
48W
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
80V
Drain Source Voltage Vds P Channel
80V
Continuous Drain Current Id N Channel
30A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.019ohm
Transistor Case Style
PowerPAK SO
Power Dissipation N Channel
48W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SQJB80EP-T1_GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits