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SQJQ148E-T2_GE3
MOSFET, N-CH, 40V, 375A, POWERPAK
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJQ148E-T2_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant38 semaines
Code Commande
Mise en bobine22AM2340RL
Bandes découpées22AM2340
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Votre numéro de pièce
1 400 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 5,140 $ | 5,14 $ |
| Total Prix | 5,14 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,140 $ |
| 50+ | 2,870 $ |
| 100+ | 2,650 $ |
| 250+ | 2,450 $ |
| 500+ | 2,250 $ |
| 1000+ | 2,210 $ |
| 2500+ | 2,170 $ |
| 5000+ | 2,110 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSQJQ148E-T2_GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant38 semaines
Code Commande
Mise en bobine22AM2340RL
Bandes découpées22AM2340
Gamme de produitTrenchFET Gen IV Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id375A
Drain Source On State Resistance1600µohm
Transistor Case StylePowerPAK
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation325W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeTrenchFET Gen IV Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
375A
Transistor Case Style
PowerPAK
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
325W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
1600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
4Pins
Product Range
TrenchFET Gen IV Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit